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西克安全光柵介質(zhì),SICK技術(shù)數據[產(chǎn)品打印頁(yè)面]

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西克安全光柵介質(zhì),SICK技術(shù)數據的詳細介紹

西克安全光柵介質(zhì),SICK技術(shù)數據 

功能特點(diǎn):
多光束安全光柵針對訪(fǎng)問(wèn)保護以及帶屏蔽的輸入/輸出監控提供高靈活性與效率。deTem 具有緊湊的外殼，憑借智能功能以診斷選項令人折服。這可確保機器的高可用性，并實(shí)現流程優(yōu)化。外殼設計和連接技術(shù)均已標準化，因而可減少安裝成本。另外，通過(guò)這種標準化，眾多 SICK 配件可與 deTem 兼容。SICK 還提供用于爆炸性環(huán)境和需要 IP69K 防護等級的應用的 deTem 變型。
通過(guò)對傳感器數據的處理，可提高訪(fǎng)問(wèn)保護和帶屏蔽的輸入/輸出監控方面的生產(chǎn)效率
將安裝成本降至更低，從機器設計中統一的 deTem 部署讓您獲益
可充分利用快速簡(jiǎn)便校準設備的優(yōu)勢
簡(jiǎn)便的調試和配置節省時(shí)間和成本
緊湊外殼、標準化連接技術(shù)、兼容配件
設備上直接提供帶狀態(tài) LED 的集成對準輔助設備
無(wú)需軟件即可配置所有功能
用于爆炸性環(huán)境以及 IP69K 防護等級的變型
安全完整性等級 SIL 3 (IEC 61508)
類(lèi)別 類(lèi)別 4 (ISO 13849-1)
防護等級 III (IEC 61140) 1)
供電電壓 UV 24 V DC (19.2 V DC ... 28.8 V DC) 2)
殘余紋波 ≤ 10 % 3)
電流消耗 ≤ 150 mA
功耗 ≤ 4.32 W (DC)
安全輸出端 (OSSD) 2 個(gè) PNP 半導體，短路保護、監控交叉電路 4)
開(kāi)啟狀態(tài)，開(kāi)關(guān)電壓 HIGH 24 V DC (UV – 2.25 V DC ... UV)
關(guān)閉狀態(tài)，開(kāi)關(guān)電壓 LOW ≤ 2 V DC
各 OSSD 的電流負載能力 ≤ 300 mA
性能等級 PL e (ISO 13849-1)
PFHD（每小時(shí)危險失效率） 3 x 10-9
TM（持續運行時(shí)間） 20 年 (ISO 13849-1)

在錯誤情況下更安全 在關(guān)閉狀態(tài)下至少有一個(gè)輸出信號切換裝置。

西克安全光柵介質(zhì),SICK技術(shù)數據